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引言:某些功放產(chǎn)品(例如GaN功放),需要負(fù)電平精準(zhǔn)控制功放的柵極電壓。本文介紹一種簡(jiǎn)單的柵壓控制方案,采用乾鴻微電子HS102EO型高速SPDT模擬開(kāi)關(guān)進(jìn)行柵壓控制和高速切換。
HS102EO型低壓高速單刀雙擲(SPDT)模擬開(kāi)關(guān)是由深圳市乾鴻微電子有限公司自主設(shè)計(jì),并基于國(guó)內(nèi)代工廠工藝流片的模擬集成電路產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于CMOS工藝設(shè)計(jì),可在2.5V~5.5V的電源范圍內(nèi)工作,除了常規(guī)的正電源應(yīng)用外,還可以實(shí)現(xiàn)負(fù)電源的應(yīng)用,具體應(yīng)用電路圖如下所示。
HS102負(fù)壓應(yīng)用電路圖
VDD端口接最高電平0V,GND端口接負(fù)電源-5V,控制端口IN給的信號(hào)是-5V~0V的方波,就以實(shí)現(xiàn)對(duì)S1和S2導(dǎo)通狀態(tài)的控制。當(dāng)IN端的信號(hào)為0V時(shí),通道S1導(dǎo)通,S2關(guān)斷;當(dāng)IN端的信號(hào)為-5V時(shí),通道S2導(dǎo)通,S1關(guān)斷,導(dǎo)通真值表如下所示。
HS102EO In | Switch S1 | Switch S2 |
0 | On | Off |
1 | Off | On |
HS102EO導(dǎo)通真值表
VDD端接0V,GND端接-5V時(shí),控制端IN的邏輯高低電平的推薦值如下:
邏輯電平 | -40℃~125℃ |
高電平邏輯1,VINH | 0V |
低電平邏輯0,VINL | -5V |
HS102EO型單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)在此種電路應(yīng)用下,就可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓范圍為-5V~0V的傳輸信號(hào)導(dǎo)通和關(guān)斷情況的控制。適用于一些需要切換傳輸負(fù)壓信號(hào)的通信、視頻、音頻等應(yīng)用場(chǎng)合或一些負(fù)壓信號(hào)處理系統(tǒng)。
該產(chǎn)品采用塑封 SOT23-6L,工業(yè)級(jí),工作溫度范圍為-40℃~125℃。若需要其他質(zhì)量等級(jí)或不同封裝的產(chǎn)品,請(qǐng)與我司聯(lián)系。
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