在HD1001應用指南1中，我們介紹了超高速GaN FET驅(qū)動器作為激光二極管開關(guān)器件驅(qū)動的應用，除應用于激光雷達發(fā)射端外，超高速GaN FET驅(qū)動器同樣可以應用于集成低側(cè)GaN FET的DC-DC變換器。

　　高速GaN FET驅(qū)動器應用于DC-DC變換器

　　DC-DC指直流轉(zhuǎn)直流電源(DC:Direct Current)。DC-DC變換器的主要功能是進行輸入輸出電壓的轉(zhuǎn)換，不同的應用場景使用的電壓不同，汽車電子常使用12V、24V，工業(yè)控制常使用24V、36V、48V，消費電子多為24V以下;模擬電路常使用5V、15V，數(shù)字電路常使用3.3V，電路常用電壓與工藝所能承受的較大源漏電壓相關(guān)。在實際的電路設(shè)計過程中，不同的器件可能會有不同的電壓范圍要求，DC-DC變換器被廣運用于通信系統(tǒng)、工業(yè)控制、汽車電子、航空航天等領(lǐng)域中，有效簡化電源電路設(shè)計，提升電路性能。

　　DC-DC變換器和LDO線性穩(wěn)壓器是較為常見的兩種電源管理芯片，相比于LDO線性穩(wěn)壓器，DC-DC變換器成本高、輸出紋波較大但效率高、輸入/輸出電壓范圍廣。LDO線性穩(wěn)壓器只能降壓，DC-DC變換器除降壓外還可以升壓與反向。LDO線性穩(wěn)壓器外圍電路少，通常只需要數(shù)個旁路電容，設(shè)計應用較為簡單;DC-DC變換器則電路設(shè)計較為復雜，外圍器件包括輸出/輸出電容、反饋電容、反饋電阻、電感等。從硅 (Si)、碳化硅 (SiC)到氮化鎵 (GaN)MOSFET 、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，電源芯片始終追求功率密度較高的半導體材料作為自身的功率器件，選擇合適的柵極驅(qū)動器，則是發(fā)揮電源芯片功能與效率的關(guān)鍵。

　　圖1 升壓型DC-DC電路原理示意圖

　　使用柵極驅(qū)動器作為DC-DC變換器的開關(guān)器件有數(shù)個需要關(guān)注的重要參數(shù)，包括開關(guān)頻率、紋波和瞬態(tài)響應等等。開關(guān)電源就是利用開關(guān)動作將直流電轉(zhuǎn)變?yōu)橐欢l率的脈沖電流能量，利用電感和電容儲能元件的特性，將電能按照預定的要求釋放出來。簡單的降壓型DC-DC電路如上圖所示，包含二極管、電感、電解電容、電阻等元件。開關(guān)頻率之于開關(guān)電源的質(zhì)量，好比心臟的脈搏之于人體的健康。開關(guān)的規(guī)律性動作，是開關(guān)電源工作的根本機制。例如Boost(升壓)電路公式中，頻率決定了電感電流紋波和輸出電壓紋波兩個中心指標。頻率與紋波幅值成近似反比關(guān)系，頻率越高，紋波值越小。

　　圖2 TPS54160降壓型DC-DC變換器參考示意圖

　　開關(guān)頻率的選擇是進行轉(zhuǎn)換效率與尺寸的抉擇。DC-DC變換器在高頻工作狀態(tài)下，對電路中電感和電容的要求會變低。而在低頻工作狀態(tài)下由于內(nèi)部柵極電荷損失變少，從而提高了轉(zhuǎn)換效率，但需要更大的電感和電容來保證低輸出紋波。以TI公司TPS54160降壓型DC-DC變換器參考電路圖為例，輸入電壓48V，輸出電壓5V，輸出電流1A，紋波電壓較高容許值為50mV，峰峰電感電流0.5A，電感與電容的簡化公式如下：

　　其中D(占空比)=5 V/48 V=0.104，△I = 0.5 A。

　　其中△I = 0.5 A，△V=50 mV。[1]

　　可以看到開關(guān)頻率fs越大，所需的電感和電容便越小。DC-DC變換器追求更高的功率密度，更小的尺寸便需要選擇更小的電感與電容，即需要提升開關(guān)頻率。

　　深圳市乾鴻微電子有限公司推出的HD1001型超高速GaN FET驅(qū)動器，5V供電，1.5ns較小脈沖寬度滿足低壓DC-DC變換器快速開關(guān)頻率的應用需要，DFN6L小型封裝便于進行外圍電路設(shè)計。HD1001作為GaN FET的低側(cè)驅(qū)動器，驅(qū)動集成低側(cè)GaN FET的DC-DC變換器，以快速開關(guān)頻率實現(xiàn)設(shè)計的小尺寸、低紋波、高功率密度。